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GaN & SiC 전력 반도체 측정 솔루션

GaN & SiC 전력 반도체 측정 솔루션

2650 시리즈 고전력 SourceMeter SMU 장비는 특별히 고전압/전류 전자 장치 및 전력 반도체(예: 다이오드, FET, IGBT, 고선명도 LED, DC-DC 컨버터, 배터리, 태양 전지, 기타 고전력 소재, 구성 요소, 모듈, 서브 어셈블리)의 특성화 및 테스트를 위해 설계되었습니다. 이러한 SMU 장비는 뛰어난 전력, 정밀도, 속도, 유연성, 및 사용 편의성을 제공하여 연구 개발, 프러덕션 테스트 및 안정성 환경에서 생산성을 개선합니다. 최대 3,000V 또는 최대 2,000W의 펄스 전류 파워를 제공하는 두 가지 장비를 사용할 수 있습니다.

  • 2657A 3KV SMU
  • 2651A 50A SMU
  • 8010 Test Fixture
  • MDO3K Oscilloscope
  • High Power Probe Station
  • Integrated Software

Model 8010 High Power Device Test Fixture

  • Lab and bench applications
  • Supports up to 100A or 3kV
  • Designed to ensure operator, equipment, and device safety
  • Replaceable socket modules for different package types
  • Scope and thermal probe ports

Model 8020 High Power Interface Panel

Support the full capability of the PCT from 10uV to 3KV, and 10fA to 100A
Flexible configurations allows the customer to easily connect to all popular high power probe stations
New 3KV Capacitance-Voltage (C-V) on 2, 3 or 4 terminal devices is a must have capability for modern power semiconductors

Model 4200-PCT-4